Đột phá công nghệ pin mặt trời tích hợp vào mái ngói

Sự hợp tác nằm trong khuôn khổ NEXUS - sáng kiến chiến lược về khoa học và công nghệ của Nhật Bản với các nước ASEAN, do Cơ quan Khoa học và Công nghệ Nhật Bản khởi xướng. Với tổng ngân sách khoảng 100 triệu USD cho giai đoạn 2024-2029, sáng kiến đặt mục tiêu thúc đẩy đổi mới sáng tạo thông qua hợp tác nghiên cứu và phát triển nguồn nhân lực chất lượng cao giữa Nhật Bản và các quốc gia ASEAN.

NEXUS được triển khai linh hoạt dựa trên thế mạnh và ưu tiên của từng nước thành viên. Singapore chọn trí tuệ nhân tạo và lượng tử, Thái Lan và Malaysia ưu tiên công nghệ xanh, trong khi Việt Nam tập trung cho lĩnh vực bán dẫn. Đây cũng là một trong những nhóm công nghệ chiến lược được Việt Nam ưu tiên phát triển để tham gia sâu vào chuỗi giá trị toàn cầu.

Vi mạch thế hệ mới tích hợp ba chiều CFET

Nhiệm vụ do Trường Đại học Sư phạm Hà Nội và Đại học Hiroshima chủ trì, hướng tới thiết kế, mô phỏng và chế tạo thành công vi mạch tích hợp ba chiều các transistor (bóng bán dẫn) đơn hạt tinh thể Silic (Si) hiệu suất cao, trên nền điện môi trong suốt bằng quy trình nhiệt độ thấp sử dụng laser. Mục tiêu của nhiệm vụ là làm chủ công nghệ từ khâu thiết kế đến chế tạo vi mạch, đồng thời đào tạo nhân lực chất lượng cao cho ngành bán dẫn.

Sản phẩm dự kiến bao gồm các mẫu kiểm nghiệm, bộ tài liệu thiết kế và quy trình công nghệ chế tạo đơn hạt tinh thể Si định vị sử dụng laser; chế tạo transistor màng mỏng Si được tinh thể hóa bằng laser có kênh dẫn định vị tại các đơn hạt tinh thể; chế tạo CFETs dùng transistor màng mỏng Si được tinh thể hóa bằng laser có kênh dẫn định vị tại các đơn hạt tinh thể; chế tạo SRAM bit cell dùng cấu trúc CFET.

Nhiệm vụ cũng đặt ra yêu cầu về bài báo khoa học, hỗ trợ đào tạo tiến sĩ, thạc sĩ và đăng ký bảo hộ trí tuệ.

Vật liệu bán dẫn tiên tiến cho transistor độ linh động điện tử cao

Dự án do Trường Đại học Phenikaa của Việt Nam cùng Trường Khoa học Kỹ thuật - Đại học Ritsumeikan của Nhật Bản chủ trì, tập trung phát triển vật liệu bán dẫn tiên tiến cho transistor có độ linh động điện tử cao thông qua kết hợp mô phỏng lý thuyết và thực nghiệm.

Nhiệm vụ đặt mục tiêu xây dựng quy trình sản xuất vật liệu bằng hàng loạt công nghệ tiên tiến như epitaxy chùm phân tử (MBE), hóa hơi kim loại hữu cơ (MOCVD), lắng đọng hóa học pha hơi (CVD), phún xạ và lắng đọng nguyên tử (ALD). Bên cạnh đó, dự án chú trọng thiết lập các mô hình tính toán lý thuyết ở cấp độ nguyên tử kết hợp AI và phân tích dữ liệu lớn để dự báo chính xác tính chất vật lý của vật liệu HEMT như độ bền, nồng độ khuyết tật, tính dẫn điện và dẫn nhiệt. Những nền tảng vật liệu này sẽ được ứng dụng trực tiếp để phát triển các thiết bị cảm biến sinh hóa có kích thước nhỏ gọn, dễ cầm tay, đáp ứng nhu cầu thực tế trong cả lĩnh vực công nghiệp và y tế.

Sản phẩm dự kiến là các chương trình tính toán tích hợp mô hình AI và mô phỏng như: mô phỏng tính độ linh động điện tử, mô phỏng tính dẫn nhiệt của vật liệu, mô phỏng ALD có tính lọc lựa theo diện tích trên bề mặt vật liệu bán dẫn; bản thiết kế, quy trình chế tạo và sản phẩm prototype của cảm biến sinh hóa dựa trên cấu trúc GaN-HEMT.

Ngoài ra, nhiệm vụ đặt mục tiêu có sản phẩm nguyên mẫu (prototype) của thiết bị đo cảm biến, 10 bài báo khoa học và hỗ trợ đào tạo thạc sĩ, tiến sĩ.

Vật liệu bán dẫn tiên tiến ứng dụng trong cảm biến tích hợp và thiết bị năng lượng tái tạo

Dự án do Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia Hà Nội cùng Viện Khoa học và Công nghệ Nara (NAIST) thực hiện, nhằm phát triển một số vật liệu oxit bán dẫn và perovskite lai vô cơ - hữu cơ micro - nano. Nhiệm vụ hướng tới ứng dụng các vật liệu trong chip cảm biến môi trường tích hợp kênh vi lưu với transistor hiệu ứng trường và linh kiện chuyển đổi năng lượng quang - điện, nhiệt - điện. Đồng thời, dự án đóng vai trò đào tạo nguồn nhân lực chất lượng cao về bán dẫn cho Việt Nam.

Sản phẩm của dự án sẽ bao gồm quy trình chế tạo vật liệu nanocomposite TiO2, ZnO và CuO, cùng nhiều báo cáo như báo cáo về tích hợp kênh vi lưu và cảm biến SERS sử dụng vật liệu lựa chọn từ các vật liệu nanocomposite bán dẫn, kim loại quý, báo cáo tích hợp chip cảm biến môi trường trên cơ sở tích hợp kênh vi lưu và transistor hiệu ứng trường cấu trúc EGFET, pin mặt trời perovskite trên đế thủy tinh.

Kết quả dự kiến của nhiệm vụ gồm sáu bài báo khoa học, hai sáng chế được chấp nhận đơn và hỗ trợ đào tạo hai nghiên cứu sinh, hai thạc sĩ.

Thiết kế chip AI SoC bảo mật dựa trên CPU RISC-V

Dự án do Trường Đại học Khoa học Tự nhiên - Đại học Quốc gia TP HCM phối hợp cùng Trường Đại học Điện tử - Truyền thông (UEC) Nhật Bản, hướng tới làm chủ thiết kế hệ thống trên chip (SoC), tính năng bảo mật sử dụng CPU RISC-V tích hợp lõi AI cho các thiết bị y sinh (AI-IoMT). Nhiệm vụ tập trung làm chủ công nghệ thiết kế chip "make in Vietnam" và đào tạo nguồn nhân lực chất lượng cao, đồng thời định hướng thương mại hóa sản phẩm chip bán dẫn trong tương lai.

Sản phẩm trọng tâm sẽ là lõi IP mềm bản thiết kế chip sử dụng CPU RISC-V 32-bit, tích hợp lõi AI CNN-1D và các lõi mật mã nhẹ như ASCON, PRINCE. Dự án dự kiến chế tạo thử nghiệm 5 mẫu chip CMOS 180 nm tại Nhật Bản, cùng năm mẫu cảm biến glucose trong máu không xâm lấn.

Kết quả dự kiến gồm 7 bài báo khoa học, một bằng sáng chế và hỗ trợ đào tạo hai tiến sĩ, sáu thạc sĩ tại Việt Nam và Nhật Bản.

Vật liệu và linh kiện điện tử công suất dựa trên chất bán dẫn vùng cấm rộng

Dự án do Trường Vật liệu - Đại học Bách khoa Hà Nội và Đại học Tokyo chủ trì, tập trung vào công nghệ chế tạo vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng dựa trên ba hệ vật liệu GaN, Ga2O3 và SrTiO3 và cấu trúc dị thể của chúng. Nhiệm vụ đặt mục tiêu tiếp thu kỹ thuật để phát triển linh kiện SBD, HEMT thế hệ mới và mạch tích hợp, từ đó chế tạo bộ nguồn điện tử công suất hiệu năng cao, thúc đẩy hợp tác nghiên cứu và đào tạo nhân lực trình độ cao cho Việt Nam.

Sản phẩm dự kiến gồm bộ tài liệu thiết kế và quy trình công nghệ chế tạo linh kiện SBD và linh kiện HEMT, bộ nguồn điện tử công suất hiệu năng cao. Nhiệm vụ cũng đặt ra kết quả cần đạt được gồm các bài báo khoa học, một đăng ký bảo hộ sở hữu trí tuệ được chấp nhận đơn và hỗ trợ đào tạo hai tiến sĩ, năm thạc sĩ chuyên ngành.

Bên cạnh 5 nhiệm vụ trên, Việt Nam và Nhật Bản sẽ tiếp tục mở rộng quy mô với mục tiêu đồng tài trợ 10 nhiệm vụ mới trong năm 2026, tập trung vào bốn chủ đề về bán dẫn là vật liệu, thiết kế, công nghệ hỗ trợ và sản xuất.

Tin Gốc: Vnexpress

Tùy thuộc vào nhà sản xuất và cách bảo quản, router có thể cần được nâng cấp sau mỗi 3 đến 4 năm. Ngoài sự xuống cấp tự nhiên của linh kiện điện tử, router cũng có thể gặp sự cố sớm, vì vậy người dùng cần chú ý đến những dấu hiệu cho thấy thiết bị đang đến thời điểm cần thay thế.

Một trong những dấu hiệu đầu tiên là sự quá nhiệt. Nếu router trở nên nóng bất thường trong một không gian mát mẻ, có thể các linh kiện đang hoạt động quá tải. Thêm vào đó, nếu gặp khó khăn khi kết nối thiết bị mới vào mạng hoặc nhận thấy tốc độ internet chậm đáng kể, đó có thể là tín hiệu cho thấy router đang gặp vấn đề.

Nếu không sử dụng bộ mở rộng Wi-Fi và gặp khó khăn trong việc duy trì kết nối khi di chuyển xa router, có thể ăng-ten hoặc chip radio bên trong đã bị xuống cấp. Kết quả là tín hiệu truyền đi trở nên quá yếu để xuyên qua tường như trước đây. Bên cạnh đó, tụ điện quản lý nguồn cũng có thể hỏng, dẫn đến việc không cung cấp đủ năng lượng cho các linh kiện hoạt động hiệu quả.

Nếu nhận thấy kết nối mạng ngày càng kém, với các hiện tượng như gián đoạn ngẫu nhiên, mất kết nối hoặc tốc độ chậm hơn, đây là dấu hiệu rõ ràng cho thấy router có thể sắp hỏng. Việc mất gói dữ liệu có thể xảy ra, dẫn đến tình trạng chậm trễ, giật hình khi phát trực tuyến hoặc tải tệp. Mặc dù khởi động lại thiết bị có thể tạm thời khôi phục kết nối, nhưng điều này không phải là giải pháp lâu dài.

Khi nhiều thiết bị kết nối cùng lúc, router có thể bị tắc nghẽn. Nếu nhận thấy sự sụt giảm đột ngột trong kết nối mạng khi có người khác sử dụng thiết bị, có thể cho thấy router không còn đủ khả năng xử lý. Nguyên nhân có thể là do CPU và RAM của router đang bị quá tải, dẫn đến giới hạn số lượng thiết bị có thể kết nối.

Ngoài vấn đề phần cứng, phần mềm cũng có thể là nguyên nhân gây ra sự cố. Nếu router không thể cập nhật firmware mới hoặc gặp vấn đề trong quá trình cập nhật có thể chỉ ra rằng thiết bị đang gặp vấn đề về khả năng tương thích hoặc tính toàn vẹn phần cứng. Hơn nữa, khi router đã cũ và không còn nhận được bản cập nhật phần mềm từ nhà sản xuất, đây là dấu hiệu rõ ràng cho thấy đã đến lúc người dùng nên thay thế thiết bị.

Để đảm bảo hiệu suất tối ưu cho mạng của gia đình, hãy theo dõi những dấu hiệu này và xem xét việc nâng cấp router lên loại hỗ trợ Wi-Fi thế hệ mới, trong trường hợp này là Wi-Fi 7, khi cần thiết.

Tin Gốc: Thanh Niên

Từ ngày 15-4, quy định mới nằm trong Thông tư 08/2026 do Bộ Khoa học và Công nghệ ban hành ngày 31-3 sẽ có hiệu lực. Tất cả các thuê bao di động phát triển mới phải thực hiện xác thực thông tin thông qua sinh trắc học khuôn mặt, để hạn chế tối đa tình trạng sử dụng SIM không chính chủ.

Điểm nổi bật của thông tư là yêu cầu mỗi thuê bao phải xác thực đầy đủ 4 trường thông tin gồm: số định danh cá nhân, họ tên, ngày sinh và ảnh khuôn mặt.

Việc bổ sung yếu tố sinh trắc học được xem là giải pháp then chốt nhằm đảm bảo mỗi SIM gắn với một cá nhân cụ thể, hạn chế tình trạng đăng ký tràn lan, sai lệch thông tin.

Cùng với đó, quy trình xác thực cũng được đơn giản hóa.

Người dùng có thể thực hiện trực tuyến thông qua ứng dụng định danh điện tử quốc gia (VNeID) hoặc ứng dụng của nhà mạng, thay vì bắt buộc phải đến điểm giao dịch như trước. Đây là bước đi phù hợp với xu hướng chuyển đổi số, giúp tiết kiệm thời gian và tăng tính tiện lợi.

Một điểm đáng chú ý khác là cơ chế xử lý đối với thuê bao không xác thực. Theo lộ trình, các số thuê bao vi phạm sẽ bị tạm dừng dịch vụ một chiều, sau đó hai chiều và có thể bị chấm dứt hợp đồng nếu không bổ sung thông tin. Quy định này được đánh giá là đủ mạnh để tạo áp lực “làm sạch” thị trường.

Ngoài ra, thông tư cũng bổ sung quy định kiểm tra khi thay đổi thiết bị sử dụng. Trong trường hợp chưa hoàn tất xác thực hoặc xác thực thông tin không đầy đủ, không chính xác theo quy định, thuê bao có thể bị tạm dừng dịch vụ (gọi điện thoại, gửi tin nhắn SMS đến số thuê bao di động khác).

Đây là biện pháp nhằm ngăn chặn các hành vi lợi dụng thay SIM, đổi thiết bị để thực hiện lừa đảo.

Không chỉ đặt ra yêu cầu đối với người sử dụng, Thông tư 08/2026 còn siết chặt trách nhiệm của các doanh nghiệp viễn thông. Theo đó, nhà mạng chỉ được phép cung cấp dịch vụ cho các thuê bao đã hoàn tất xác thực thông tin theo quy định.

Các doanh nghiệp phải thực hiện đối chiếu dữ liệu với cơ sở dữ liệu quốc gia về dân cư, lưu trữ đầy đủ thông tin xác thực và đảm bảo tuân thủ các quy định về bảo vệ dữ liệu cá nhân. Điều này đồng nghĩa với việc nhà mạng không còn “kẽ hở” trong quản lý thuê bao như trước.

Về phía người dùng, trách nhiệm cũng được đặt ra rõ ràng hơn. Việc chủ động cập nhật, xác thực thông tin không chỉ là yêu cầu bắt buộc mà còn là cách để bảo vệ chính mình trước các rủi ro như giả mạo, chiếm đoạt tài khoản hay lừa đảo qua điện thoại.

Đáng chú ý, việc xác thực thông tin đối với thuê bao có hoạt động thay đổi thiết bị đầu cuối, trong vòng 30 ngày kể từ ngày tạm dừng cung cấp dịch vụ viễn thông chiều đi, thuê bao phải hoàn thành thực hiện lại xác thực sinh trắc học ảnh khuôn mặt, sau thời hạn này nếu thuê bao không thực hiện, doanh nghiệp viễn thông có nghĩa vụ tạm dừng cung cấp dịch vụ viễn thông hai chiều đồng thời thông báo thuê bao sẽ bị thanh lý hợp đồng, chấm dứt cung cấp dịch vụ viễn thông nếu không thực hiện.

Cùng với đó thanh lý hợp đồng, chấm dứt cung cấp dịch vụ viễn thông sau 5 ngày kể từ ngày tạm dừng cung cấp dịch vụ viễn thông hai chiều nếu cá nhân, tổ chức không thực hiện.

Cơ quan quản lý kỳ vọng, với sự phối hợp đồng bộ giữa người dân và doanh nghiệp, thị trường viễn thông sẽ từng bước minh bạch, an toàn hơn.

Trong bối cảnh các hình thức lừa đảo công nghệ cao ngày càng gia tăng, việc chuẩn hóa dữ liệu thuê bao được xem là bước đi cần thiết, dù có thể tạo thêm một số thủ tục ban đầu cho người sử dụng.

Nguồn: https://tuoitre.vn/nguoi-dung-co-the-xac-thuc-sim-chinh-chu-thong-qua-vneid-20260404121252808.htm